双区分布布拉格反射镜半导体激光器结构和制备方法

摘要

一种双区分布布拉格反射镜半导体激光器的结构和制备方法，使用了工艺相对三区DBR－LD简单一些的双区结构，即只有增益区和光栅区，舍去了相位区，其结构由N型电极、N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下盖层、非掺AlGaAs下波导层、非掺AlGaAs下垒层、非掺AlGaInAs有源层、非掺AlGaAs上垒层、非掺AlGaAs上波导层、非掺GaInP光栅层、非掺AlGaAs上盖层、P型AlGaAs上盖层、P型GaAs帽层、SiO₂层、P型电极、绝缘沟组成。本发明的制备方法包括材料生长和后工艺制作。

主权项

1.一种双区分布布拉格反射镜半导体激光器的结构，其结构为：一N型电极，该N型电极上依次为N型GaAs衬底；N型GaAs缓冲层；N型AlGaAs下盖层；非掺AlGaAs下波导层；非掺AlGaAs下垒层；非掺AlGaInAs有源层；非掺AlGaAs上垒层；非掺AlGaAs上波导层；非掺GaInP光栅层；非掺AlGaAs上盖层；P型AlGaAs上盖层；P型GaAs帽层；SiO2层，在P型GaAs帽层两侧的上面；P型电极，在SiO2层和P型GaAs帽层上；绝缘沟，在P型电极上。