发明名称 |
氧化物p-i-n结器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种氧化物p-i-n结器件及其制备方法,该器件包括衬底,在衬底之上形成的p型氧化物层,在p型氧化物层上形成的n型氧化物层,以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端和在p型氧化物层和n型氧化物层之间的铁电体势垒层;n型氧化物层和铁电体势垒层两层设置在的p型氧化物层的一侧,其占p型氧化物层面积的1/3~2/3,其余部分作为p型氧化物层的引出端;n型氧化物层表面作为n型氧化物层的引出端,在p型氧化物层和n型氧化物层的引出端上分别制作用于连接引线的贵金属焊盘;p型氧化物层和n型氧化物层均为金属性的;本发明的器件制备方法简单,结构易于实现,实现了单一器件功能的多样化。 |
申请公布号 |
CN101197396A |
申请公布日期 |
2008.06.11 |
申请号 |
CN200610164954.1 |
申请日期 |
2006.12.08 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
赵柏儒;袁洁;吴昊;曹立新;许波;赵力;金魁;朱北沂 |
分类号 |
H01L29/868(2006.01);H01L29/82(2006.01);H01L21/329(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/868(2006.01) |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
高存秀 |
主权项 |
1.一种氧化物p-i-n结器件,包括衬底,在衬底之上形成的p型氧化物层,在p型氧化物层上形成的n型氧化物层,以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端;其特征在于:还包括夹在所述p型氧化物层和所述n型氧化物层之间的铁电体势垒层;所述n型氧化物层和所述铁电体势垒层两层设置在所述的p型氧化物层的一侧,其占p型氧化物层面积的1/3~2/3,其余部分作为p型氧化物层的引出端;所述n型氧化物层表面作为n型氧化物层的引出端,在p型氧化物层和n型氧化物层的引出端上分别制作用于连接引线的贵金属焊盘;所述p型氧化物层和所述n型氧化物层均为金属性的。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村南三街8号 |