高压MOS晶体管的制作方法

摘要

一种高压MOS晶体管的制作方法，包括下列步骤：在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形；将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第一次p型离子注入；在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离子注入；在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层。经过上述步骤，在辅助有源区进行两次同类型离子注入，提高辅助有源区的阈值电压，双峰现象不会出现，从而可以降低器件功耗，增加器件工作的稳定性。

主权项

1.一种高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于，高压NMOS晶体管形成，包括下列步骤：a.在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图形凸出；b.将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；c.在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第一次p型离子注入；d.在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；e.以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离子注入；f.在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；g.在硅衬底上形成栅极、源极和漏极，其中栅极与有源区的重叠部分为沟道。