发明名称 高出光效率的LED发光二极管
摘要 本实用新型涉及一种高出光效率的LED发光二极管,属于电子发光器件技术领域,本实用新型是对现有LED发光二极管结构的改进,通过在LED发光芯片与透明树脂间设置光折射率介于其二者之间的透明过渡介质层,这种结构的改变一方面提高了芯片出光效率,有利于实现LED发光二极管的高亮度,选择适当的介质层后,能最大提高到8.14%,同时,由于出光效率的提高减少了光子的热转化,从而减少了芯片的热效应,减轻了LED发光二极管的热负荷,本实用新型结构简单,同功率LED发光二极管相比,出光效率提高显著,极具竞争力,具有显著的经济效益和社会效益,可替代现有LED发光二极管。
申请公布号 CN201072087Y 申请公布日期 2008.06.11
申请号 CN200720040664.6 申请日期 2007.07.13
申请人 扬州华夏集成光电有限公司 发明人 林岳明;曾金穗;钟艳明
分类号 F21V19/00(2006.01);F21V21/00(2006.01);F21V3/00(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L33/00(2006.01);F21Y101/02(2006.01) 主分类号 F21V19/00(2006.01)
代理机构 扬州苏中专利事务所 代理人 孙忠明
主权项 1.一种高出光效率的LED发光二极管,包括支架、LED发光芯片、LED发光芯片与支架之间的焊料、连接LED发光芯片的电极金线、罩盖LED发光芯片和部分支架的透明罩、透明罩内充填的透明树脂,其特征是在LED发光芯片上与透明树脂间设置透明过渡介质层。
地址 225009江苏省扬州市扬子江南路518号