发明名称 |
一种采样/保持电路装置 |
摘要 |
一种采样/保持电路装置,包括保持电容和采样/保持开关装置;所述的采样/保持开关装置是由三个NPN型双极结型晶体管和一个N沟道场效应晶体管构成的偏置电路装置,其一端接至模拟或射频信号源,另一端接至保持电容器;两个NPN型双极结型晶体管的基极分别接至两个互补的采样/保持时钟信号,它们的发射极相接并连接至N沟道场效应晶体管的漏极,它们的集电极分别与第三个NPN型双极结型晶体管的基极与发射极相连;第三个NPN型双极结型晶体管的集电极与电源相连;N沟道场效应晶体管的源极与地相连,栅极连接偏置电压;在保持电容与采样/保持开关装置之间还连接了一个补偿电路装置,能够有效解决电荷注入带来输出电平不正确的问题。 |
申请公布号 |
CN101197193A |
申请公布日期 |
2008.06.11 |
申请号 |
CN200610164878.4 |
申请日期 |
2006.12.07 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
朱旭斌;石寅 |
分类号 |
G11C27/02(2006.01);H03K17/51(2006.01);H03K17/60(2006.01);H03K17/687(2006.01);H03M1/12(2006.01) |
主分类号 |
G11C27/02(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种采样/保持电路装置,包括保持电容(65)和采样/保持开关装置;所述的采样/保持开关装置是由NPN型双极结型晶体管(60)、NPN型双极结型晶体管(61)、NPN型双极结型晶体管(62)和N沟道场效应晶体管(63)构成的偏置电路装置,其一端接至模拟或射频信号源,另一端接至保持电容器(65);所述的NPN型双极结型晶体管(60)的集电极连接电源,基极耦合至NPN型双极结型晶体管(62)的集电极,发射极耦合至NPN型双极结型晶体管(61)的集电极;所述的NPN型双极结型晶体管(61)的发射极与NPN型双极结型晶体管(62)的发射极相连,并耦合至N沟道场效应晶体管(63)的漏极;所述的N沟道场效应晶体管(63)的源极与地相连,栅极连接偏置电压;工作时两个互补的采样/保持时钟信号分别从NPN型双极结型晶体管(61)的基极和NPN型双极结型晶体管(62)的基极接入采样/保持电路;其特征在于:在保持电容(65)与采样/保持开关装置之间还连接了一个补偿电路装置。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |