存储器单元结构及磁阻性随机存取存储器结构

摘要

一种存储器单元结构及磁阻性随机存取存储结构，包括：一存储器叠层，具有一下电极及一上电极；一导体延伸层，电性连接下电极，且具有一延伸部，其自存储器叠层横向延伸，该存储器叠层形成于导体延伸层的主要部分上；一数据控制线，用以控制该存储器叠层的存储状态，其直接形成于存储器叠层和导体延伸层的主要部分下；一下金属层，形成于延伸部之下，且电性耦接于一开关装置，以读取存储器叠层的存储状态；以及一介层插塞结构，直接连接延伸部至下金属层，且直接横向相邻于数据控制线。

主权项

1.一种存储单元结构，包括：一存储叠层，具有一下电极及一上电极；一导体延伸层，电性连接该下电极，且具有一延伸部，其自该存储叠层横向延伸，该存储叠层形成于该导体延伸层的主要部分上；一数据控制线，用以控制该存储叠层的存储状态，其直接形成于该存储叠层和该导体延伸层的主要部分下；一下金属层，形成于该延伸部之下，且电性耦接于一开关装置，以读取该存储叠层的存储状态；以及一介层插塞结构，直接连接该延伸部至该下金属层，且直接横向相邻于该数据控制线。