| 发明名称 | 形成用于快闪装置的均匀穿隧氧化层的方法和所得结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成用于快闪装置的均匀穿隧氧化层的方法和所得结构。薄氧化物膜是生长在硅上，该硅首先经气态或液态氯离子源处理。所得氧化物的厚度具有比在未经处理的硅上所得的更均匀，因此，相较于之前未经处理的结构所需的，其可使所给予的电荷储存在一浮置栅上较长的时间，该浮置栅形成于该氧化物上。 | ||
| 申请公布号 | CN101197279A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710126359.3 | 申请日期 | 2007.06.29 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） | 发明人 | 董忠;陈计良 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L29/788(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种在硅基材上生长氧化物层的方法，其包含：清洁该基板；以氯离子处理该基板；就地移除该氯离子；以及于该基材上生长氧化物层。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡邮区608840号08－09ODC城通关道30号 | ||