| 发明名称 | L型边墙的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法以及相应的L型边墙的形成方法，其利用部分干法刻蚀加部分湿法腐蚀代替传统的干法刻蚀来处理一介电层，从而减少蚀刻过程中对基底表面的损伤。具体如下：L型边墙形成自一淀积于基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该减少基底表面损伤的方法即用于复合介电层的蚀刻过程，包括以下步骤：通过干法刻蚀去除一定厚度的暴露于外的介电层；通过湿法腐蚀去除剩余厚度的暴露于外的介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101197264A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710172927.3 | 申请日期 | 2007.12.25 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 顾学强 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，该L型边墙形成自一淀积于带有栅极结构基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该方法即用于该复合介电层的蚀刻过程，其特征是，包括：保留栅极侧壁上的牺牲层，去除其余部分的牺牲层，而暴露出部分介电层；干法刻蚀暴露于外的介电层，减小暴露于外的介电层的厚度；通过湿法腐蚀去除剩余厚度的暴露于外的介电层，而暴露出部分氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区 | ||