发明名称 压阻式高频动态低压传感器
摘要 一种压阻式高频动态低压传感器由压阻敏感组件、传感器基座、转接电路和引出电缆组成,压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成,敏感元件为具有力敏区C型或E型方平硅膜片,膜片正面覆盖Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>和SiO<SUB>2</SUB>层,力敏区正面有惠斯顿全桥并引出电极,力敏区背面边缘硬框覆盖Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>和SiO<SUB>2</SUB>层并焊接于玻璃环片,电极焊接于金丝内引线,玻璃环片另一面通过金属环片固定于传感器基座进压端的环行凹坑面,硅片背面与传感器基座进压端面准齐平,内引线另一端焊接到转接电路,引出电缆之芯线焊接于转接电路,传感器基座尾部旋固传感器管帽,引出电缆通过管帽底部口引出并基于压线帽固定于传感器管帽,转接电路与引出电缆间接有高频带宽放大电路,实现传输信号高频放大。
申请公布号 CN100394154C 申请公布日期 2008.06.11
申请号 CN200510038458.7 申请日期 2005.03.14
申请人 昆山双桥传感器测控技术有限公司 发明人 许广军;王文襄;李水侠;李济顺;温争艳;孙芳莉
分类号 G01L1/18(2006.01) 主分类号 G01L1/18(2006.01)
代理机构 昆山四方专利事务所 代理人 盛建德
主权项 1.一种压阻式高频动态低压传感器,由压阻敏感组件、传感器基座(12)、转接电路和引出电缆(15)组成,其特征在于:1)该压阻敏感组件由硅压阻敏感元件和玻璃环片组成,该硅压阻敏感元件为具有方形力敏区的方平硅膜片(10),该硅膜片正面依次覆盖有SiO2层(2)和Si3N4层(1),该力敏区正面有惠斯顿应变全桥并引出电阻电极,该力敏区背面边缘硬框(4)依次覆盖SiO2 层(2)和Si3N4层(1)并焊接于抛光Pyrex或GG-17玻璃环片(7),形成该压阻敏感组件,该电阻电极焊接于金丝内引线(11)一端;2)该传感器基座进压端口设有的环形凹坑面粘结或焊接金属环片(8),该金属环片外侧面与该传感器基座进压端口的端面齐平,该压阻敏感组件之玻璃环片另一面粘贴在该金属环片内侧面,实现该压阻敏感组件之硅膜片背面与该传感器基座进压端口的端面准齐平封装,该金丝内引线另一端焊接到该转接电路,该引出电缆之芯线焊接于该转接电路,实现该金丝内引线与相应芯线导通;3)该传感器基座之尾部旋固用于封装该传感器的传感器管帽(16),该引出电缆通过该传感器管帽底部口引出,并且基于压线帽(17)固定于该传感器管帽。
地址 215325江苏省昆山市周庄镇秀海路1号
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