发明名称 短路失效模式预制件的功能涂层
摘要 本发明涉及到一种功率半导体模块,它包含至少一个半导体芯片(11),此半导体芯片(11)由半导体材料、第一和第二主电极(12,13)、第一和第二主连接(91,92)、以及与第一主电极(12)和第一主连接(92)电接触的接触片(2)组成。所述接触片(2)包含能够与半导体材料一起形成低共熔体的合金伴侣。本发明的接触片被涂敷有导电的保护层(31,32),借以防止了第一主电极(12)和接触片(2)形成永久的材料连接。
申请公布号 CN100394591C 申请公布日期 2008.06.11
申请号 CN03819218.7 申请日期 2003.08.15
申请人 ABB瑞士有限公司 发明人 J·阿萨尔;S·考夫曼
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L23/051(2006.01);H01L25/07(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢新华;庞立志
主权项 1.一种功率半导体模块,它包含至少一个由半导体材料组成并具有第一和第二主电极的半导体芯片(11),第一和第二主连接(91,92),所述第二主连接(92)与第二主电极连接,与第一主电极和第一主连接(92)电接触的接触薄层(2),此接触薄层(2)包含一种材料或者该材料的化合物,其可以与半导体材料形成低共熔体合金,该低共熔体合金的熔点比半导体的熔点或所述接触薄层(2)的材料或该材料的化合物的熔点低,此接触薄层涂敷有导电保护层(31,32),其特征在于此保护层(31,32)具有至少一个涂敷在接触薄层(2)上的导电的基底层(31),以及形成外部接触区的导电的表面层(32),其特征还在于此基底层和此表面层主要包含不同的材料。
地址 瑞士巴登