可叠加掩膜只读存储器及其制造方法

摘要

一种可叠加掩膜只读存储器及其制造方法，该存储器是由可叠加非晶硅晶体管阵列构成。先形成非晶硅硅化物作为存储晶体管的字线，沉积用作存储晶体管的栅介质后，沉积用作存储晶体管沟道的掺杂非晶硅，垂直于字线通过离子植入选择性重掺杂此非晶硅并形成硅化物构成低电阻位线。将第一层存储阵列的位线用作第二层存储阵列的字线，形成第二层存储阵列。字线和其上方两条位线以及位线之间的掺杂非晶硅构成存储晶体管，选择字线和位线加工作电压可读出电流。编码是通过蚀刻存储晶体管的非晶硅沟道来实现，编码后无法形成可导通的晶体管，即没有读出电流。此结构的优点是可以重复叠加，能制出密度高位线电阻低的掩膜只读存储器，还具有减少误读的优点。

主权项

1.一种可叠加掩膜只读存储器，其特征在于，为层状结构，从下至上依次包含；位于最底层的浅沟槽隔离区的隔离介质层；若干多晶硅或非晶硅硅化物存储字线的阵列，设置在所述的浅沟槽隔离区的隔离介质层上；用于存储晶体管的栅介质层，设置在所述的存储字线的阵列上；设置在所述栅介质层上，从下至上依次排列的若干存储阵列。