| 发明名称 | 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺 | ||
| 摘要 | 一种分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺，是利用反应离子刻蚀技术，其主要步骤为：A)用全息曝光的方法在GaInP材料上形成干涉条纹并显影，坚膜；B)将已显影的样品放入反应室内，反应气体为CH<SUB>4</SUB>/H<SUB>2</SUB>/Ar，其中：CH<SUB>4</SUB>流量为5－18sccm；H<SUB>2</SUB>流量为17－45sccm；Ar流量为1－8sccm；射频功率为50－150W；反应气压为0.067mbar；反应温度为室温；反应时间为45－60sec。本发明采用CH<SUB>4</SUB>、H<SUB>2</SUB>和Ar的混合气体系统对GaInP光栅的反应离子腐蚀进行了工艺研究，经过优化气体流量比例和刻蚀时间，可以得到好的刻蚀效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101197491A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610164885.4 | 申请日期 | 2006.12.07 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 付生辉;宋国锋;陈良惠 |
| 分类号 | H01S5/125(2006.01);H01S5/187(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01S5/125(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1.一种分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺，是利用反应离子刻蚀技术，其主要步骤为：A)用全息曝光的方法在GaInP材料上形成干涉条纹并显影，坚膜；B)将已显影的样品放入反应室内，反应气体为CH4/H2/Ar混合气体，其中：CH4流量为5-18sccm；H2流量为17-45sccm；Ar流量为1-8sccm；射频功率为50-150W；反应气压为0.067mbar；反应温度为室温；反应时间为45-60sec。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||