为改善相邻存储单元干扰的ONO闪存阵列

摘要

一种为改善相邻存储单元干扰的ONO闪存阵列，其在每一存储单元的沟道单侧附近注入口袋或沟道两侧附近注入不同浓度的口袋，使得每一存储单元具有不对称口袋，因而该内存阵列在利用带对带程序化或擦除时，不受相邻存储单元的干扰，此外，亦可降低读取时相邻存储单元的干扰。

主权项

1.一种为改善相邻存储单元干扰的ONO闪存阵列，其特征在于，包括：一基底，具有一第一及第二埋藏扩散区；一沟道，在该第一及第二埋藏扩散区之间；一ONO层，在该沟道上方，供储存数据；一第一口袋，在该沟道一侧的附近，与该第一埋藏扩散区邻接，具有一第一掺杂浓度；以及一第二口袋，在该沟道另一侧的附近，与该第二埋藏扩散区邻接，具有一第二掺杂浓度；其中，所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。