| 发明名称 | 可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层(4)与衬底(1)的界面上设有N型埋层(2)，在N型外延层上设有P型体沟道区(11)和深N+扩散区(5)及P型阱(6)，该P型体沟道区的四周设有P型场限环(7)，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环(12s)和P+接触区(13)，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。 | ||
| 申请公布号 | CN100394616C | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200510096163.5 | 申请日期 | 2005.10.14 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 庄奕琪;李小明;邓永洪;张丽 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/02(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 1.一种可集成的高压VDMOS器件结构，包括P型衬底(1)，N型外延层(4)，场氧化层(8)，栅氧化层(9)，其特征在于：N型外延层(4)与衬底(1)的界面上设有N型埋层(2)；N型外延层(4)上设有P型体沟道区(11)和深N+扩散区(5)及P型阱(6)，该P型体沟道区的四周设有P型场限环(7)，该P型体沟道区的内部设有源区，该源区内设有N+环(12s)和P+接触区(13)；所述的深N+扩散区(5)与N型埋层(2)相连接构成漏区引出；在栅氧化层(9)上面设有多晶硅栅(10a)，在P型场限环(7)和P型阱(6)上的场氧化层(8)表面分别设有多晶硅场板(10b)和(10d)。 | ||
| 地址 | 710071陕西省西安市太白路2号 | ||