| 发明名称 |
HIGH PERFORMANCE MOSFET COMPRISING A STRESSED GATE METAL SILICIDE LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1929537(A2) |
申请公布日期 |
2008.06.11 |
| 申请号 |
EP20060824840 |
申请日期 |
2006.08.22 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
YANG, HAINING, S. |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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