集成电路生产过程中PPID的监控方法

摘要

本发明提供了一种集成电路生产过程中PPID的监控方法，涉及半导体领域的检测工艺。所述监控方法通过测量P型MOSFET器件的栅氧化层的击穿电压或者漏电流来监控PPID的强弱；所述P型MOSFET器件包括N阱衬底、依次位于N阱衬底上面的栅氧化层与栅极、与栅极连接的G端电极以及连接到N阱衬底的非源漏极区的B端电极；测量P型MOSFET器件的栅氧化层的击穿电压或者漏电流时，测量仪器连接于所述G端电极和B端电极之间。与现有技术相比，本发明提供的监控方法在金属天线为零的情况下仅利用G端电极所收集的电荷也可以观测到明显的PPID现象，也就是说本发明在节省占用面积的前提下，实现了对PPID现象的监控。

主权项

1.一种集成电路生产过程中PPID的监控方法，其特征在于，通过测量P型MOSFET器件的栅氧化层的击穿电压或者漏电流来监控PPID的强弱；所述P型MOSFET器件包括N阱衬底、依次位于N阱衬底上面的栅氧化层与栅极、与栅极连接的G端电极以及连接到N阱衬底的非源漏极区的B端电极；测量P型MOSFET器件的栅氧化层的击穿电压或者漏电流时，测量仪器连接于所述G端电极和B端电极之间。