| 发明名称 | 铁电存储装置及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种铁电存储装置及电子设备，其可以提高铁电存储装置的读出容限，而且，可以提高铁电存储装置的读出特性。其中，该铁电存储装置包括：第一p沟道型MISFET(P1－L)，连接在第一节点(Vmn－L)和第三节点(Vc－L)之间，其栅极连接于第二节点(Vmn－R)；第二p沟道型MISFET(P1－R)，连接在上述第二节点和第四节点(Vc－R)之间，其栅极连接于上述第一节点；第一电荷传送MISFET(T2－L)，连接在第一位线(BL－L)和第一节点(Vmn－L)之间；第二电荷传送MISFET(T2－R)，连接在第二位线(BL－R)和第二节点(Vmn－R)之间；第一电容(C5－L)，连接于上述第一节点；以及第二电容(C5－R)，连接于上述第二节点。 | ||
| 申请公布号 | CN101197186A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710187566.X | 申请日期 | 2007.12.03 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 小出泰纪 |
| 分类号 | G11C11/22(2006.01) | 主分类号 | G11C11/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种铁电存储装置，包括：第一电荷传送MISFET，连接在第一位线和第一节点之间；第二电荷传送MISFET，连接在第二位线和第二节点之间；第一电容，连接于所述第一节点；第二电容，连接于所述第二节点；第一p沟道型MISFET，连接在所述第一电荷传送MISFET和所述第一节点之间，所述第一p沟道型MISFET的栅极连接于所述第二节点；以及第二p沟道型MISFET，连接在所述第二电荷传送MISFET和所述第二节点之间，所述第二p沟道型MISFET的栅极连接于所述第一节点。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||