半导体器件

摘要

公开了一种半导体器件，其中，包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分，形成在半导体衬底上，其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上，并且第一巨型布线结构部分是这样形成的，通过以下面的顺序在微细布线结构部分上相继地形成第一巨型布线部分，其包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第二布线层和第二绝缘层，其中每一第二布线层和每一第二绝缘层被交替地层压；第二巨型布线结构部分，包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第三布线层和第三绝缘层，其中第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量，每一第三布线层和每一第三绝缘层都被交替地层压。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；微细布线结构部分，配备在所述半导体衬底上，并且包括一个或多个第一布线层和一个或多个第一绝缘层，其中每一所述第一布线层和每一所述第一绝缘层都被交替地层压，并且每一所述第一布线层具有一根或多根第一导线和用于绝缘所述第一导线的第一绝缘膜；第一巨型布线结构部分，配备在所述微细布线结构部分上，并且包括一个或多个第二布线层和一个或多个第二绝缘层，其中每一所述第二布线层和每一所述第二绝缘层被交替地层压，每一所述第二布线层具有的厚度是所述第一布线层厚度的两倍或更多，并且具有一根或多根第二导线和用于绝缘所述第二导线的第二绝缘膜，而且每一所述第二绝缘层比所述第一绝缘层厚；第二巨型布线结构部分，配备在所述第一巨型布线结构部分上，并且包括一个或多个第三布线层和一个或多个第三绝缘层，其中每一所述第三布线层和每一所述第三绝缘层都被交替地层压，每一所述第三布线层具有的厚度是所述第一布线层厚度的两倍或更多，并且具有一根或多根第三导线和用于绝缘所述第三导线的第三绝缘膜，而且每一第三绝缘层比第一绝缘层厚，并第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量；其中，第三绝缘层在25℃时的弹性模量被设置为0.15到3GPa。