半导体激光装置

摘要

一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。

主权项

1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：脊部，其依次层积下包层、活性层、第一上包层、第二上包层以及电极层；第一侧部，其配置于所述脊部的两外侧，同时，依次层积所述下包层、所述活性层、所述第一上包层以及折射率比所述第一上包层小的埋入层；第二侧部，其配置于所述第一侧部的两外侧，同时，依次层积所述下包层、所述活性层、所述第一上包层以及光吸收层，并且在所述第一上包层与所述光吸收层之间没有层叠所述埋入层，所述光吸收层与所述电极层电接触。