| 发明名称 | 苯并环丁烯层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种苯并环丁烯层的形成方法，包括采用等离子体清洗基片；在基片上形成底膜；对底膜进行烘烤；在底膜上形成苯并环丁烯层。同时本发明还提供一种半导体器件的形成方法，本发明通过在形成底膜前进行等离子清洗、对底膜进行烘烤工艺，增加了底膜和苯并环丁烯层与基片之间的粘附力，同时通过改变曝光光线为ghi光线增加了苯并环丁烯层的聚合度，形成高度致密的苯并环丁烯层。 | ||
| 申请公布号 | CN101197273A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119361.3 | 申请日期 | 2006.12.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 丁万春;章国伟;梅娜 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种苯并环丁烯层的形成方法，其特征在于：等离子体清洗基片；在基片上形成底膜；对底膜进行烘烤；在底膜上形成苯并环丁烯层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||