| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过以下节省成本的方式制造一种具有在一个半导体衬底(20)上具有多个有源元件(31－33、41－43)和无源元件(51、52)的半导体器件(100)，即使当所述有源和无源元件包括双侧电极元件(41－43、51、52)也是如此。当将半导体衬底划分为多个场区域(F1－F8)时，穿透半导体衬底的绝缘隔离沟槽(T)包围每一个场区域，以及多个有源元件或多个无源元件中的任意一方的每一个。此外，多个元件中的每一个具有一对分别设置在半导体衬底的两侧(S1、S2)中的每一侧上的用于电源的功率电极(dr1、dr2)，用作双侧电极元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101197368A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710196466.3 | 申请日期 | 2007.12.05 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 尾关善彦;河野宪司;藤井哲夫 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件(100)，其具有形成在一个半导体衬底(20)上的多个有源元件(31-33、41-43)和多个无源元件(51、52)中的一个，该半导体器件包括：位于所述半导体衬底上的多个场区域(F1-F8)；以及围绕所述多个场区域的绝缘隔离沟槽(T)，其中所述绝缘隔离沟槽穿透所述半导体衬底，以将所述半导体衬底划分为所述多个场区域，所述场区域中的每一个包括所述多个有源元件和多个无源元件中的一个，并且所述多个有源元件和所述多个无源元件当中的至少两个元件分别具有一对设置在所述半导体衬底的两侧(S1、S2)上的用于电源的功率电极(dr1、dr2)。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||