| 发明名称 | 等离子体处理设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理设备，其包含：腔室；绝缘部件，其设置于所述腔室的上部中；接地电极，其形成于所述腔室的侧壁处，并被施加接地电位；以及下部电极，其设置于所述腔室的下部中，衬底被放置于所述下部电极上，其中所述下部电极被分割成多个电极。根据本发明的一个方面，可有效地移除在衬底的下表面中心部分、上表面边缘区域、侧面、以及下表面边缘区域中所积聚的微粒。 | ||
| 申请公布号 | CN101198207A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710199710.1 | 申请日期 | 2007.12.06 |
| 申请人 | TES股份有限公司 | 发明人 | 金圣烈 |
| 分类号 | H05H1/34(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H05H1/34(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 左一平 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理设备，其包含：腔室；绝缘部件，其设置于所述腔室的上部中；接地电极，其形成于所述腔室的内侧壁处，接地电位被施加至所述接地电极；以及下部电极，其设置于所述腔室的下部中，衬底被放置于所述下部电极上，其中所述下部电极被分割成多个电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市杨智面霁日里640－1 | ||