| 发明名称 | 金属材料用腐蚀剂组合物及使用该组合物的半导体装置的制备方法 | ||
| 摘要 | 提供一种腐蚀剂组合物、以及使用该组合物的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化合物、和作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液，或者含有氟化物、作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂、以及无机酸和/或有机酸的水溶液。该组合物能够选择性地且高效地腐蚀金属材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101199043A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200680021432.4 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 发明人 | 矢口和义;安部幸次郎;大户秀 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01);C23F1/16(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/308(2006.01) |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周建秋;王凤桐 |
| 主权项 | 1.一种腐蚀剂组合物，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化物、和作为官能基在分子结构含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||