| 发明名称 | 防止半导体器件中的铜脱层 | ||
| 摘要 | 半导体器件包含形成于半导体衬底(110)上的阻挡层。开孔(120)形成于处在衬底上的绝缘层(130)中，从而露出下部铜层(140)。开孔和下部铜层被暴露于无等离子体还原气氛(200)中进行热退火。阻挡层被沉积到暴露的开孔中以及沉积到暴露的下部铜层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101199046A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200680020988.1 | 申请日期 | 2006.06.13 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | S·阿加尔瓦拉;K·J·泰勒 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01);H01L21/4763(2006.01) | 主分类号 | H01L21/44(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底上的绝缘层中形成开孔，从而露出下部铜层；将所述开孔和所述下部铜层暴露于无等离子体还原气氛中进行热退火；以及将阻挡层沉积在所述暴露的开孔中及所述暴露的下部铜层上。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||