| 发明名称 | 金属前介质层形成方法及其结构 | ||
| 摘要 | 一种金属前介质层形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属前介质层沉积基底；在所述沉积基底上利用第一CVD方法沉积第一金属前介质层；在所述第一金属前介质层上利用第二CVD方法沉积第二金属前介质层。可形成无沉积孔洞产生且通过改变器件内应力状态以改善器件性能的金属前介质层，利用HARP SACVD工艺沉积第一介质层，以降低后续制程的线缝深宽比，继而应用HDPCVD、SACVD或PECVD等传统工艺沉积第二介质层，以完成介质层的沉积，可保证后续工艺与现有工艺相同，使得可将为实现工艺优化而对现有工艺进行的改变降至最低，降低研发成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101197272A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119164.1 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑春生;蔡明 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种金属前介质层形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属前介质层沉积基底；在所述沉积基底上利用第一CVD方法沉积第一金属前介质层；在所述第一金属前介质层上利用第二CVD方法沉积第二金属前介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||