| 发明名称 | 自对准接触孔的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准接触孔的制造方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底上至少有两个栅极；沿所述栅极表面形成刻蚀阻挡层，在所述刻蚀阻挡层上形成介质层，所述介质层的顶部高于所述栅极顶部；在所述介质层上形成光刻胶的接触孔图案，并通过刻蚀在所述介质层中形成T型开口，所述开口的底部位于所述两个栅极之间；去除所述光刻胶；通过湿法清洗所述开口的侧壁和底部；刻蚀去除所述开口侧壁和底部的刻蚀阻挡层。本方法能够消除或减少自对准接触孔的制造方法中接触孔底部没有打开及栅极肩部被削去的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101197319A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119142.5 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴关平;陈耀祖;张颂周;高燕 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种自对准接触孔的制造方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底上至少有两个栅极；沿所述栅极表面形成刻蚀阻挡层，在所述刻蚀阻挡层上形成介质层，所述介质层的顶部高于所述栅极顶部；在所述介质层上形成光刻胶的接触孔图案，并通过刻蚀在所述介质层中形成“T”型开口，所述开口的底部位于所述两个栅极之间；去除所述光刻胶；用湿法清洗所述开口的侧壁和底部；刻蚀去除所述开口侧壁和底部的刻蚀阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||