| 发明名称 | 半导体器件的金属线路图案及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于半导体器件的金属线路图案的形成方法。该方法包括，在半导体衬底上形成初步结构，其具有下部阻挡金属层、金属层、和具有第一厚度的上部阻挡层和/或钝化层；移除该钝化层的上表面，使得该钝化层具有第二厚度；在该钝化层上形成次钝化层；在该次钝化层上形成附着力增强物和光致抗蚀剂图案；以及通过采用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻该初步结构形成金属线路图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101197315A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710198831.4 | 申请日期 | 2007.12.07 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 白寅喆 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种金属线路图案的制造方法，包括：在半导体衬底上形成初步结构，该初步结构具有下部阻挡金属层、金属层、和具有第一厚度的上部阻挡层和/或钝化层；移除该上部阻挡层和/或钝化层的上表面，使得该上部阻挡层和/或钝化层具有第二厚度；在具有第二厚度的该上部阻挡层和/或钝化层上形成次钝化层；在该次钝化层上形成附着力增强层；在该附着力增强层上形成光致抗蚀剂图案；以及采用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻该初步结构，形成金属线路图案。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||