发明名称 采用有源电感的中频LC并联谐振回路
摘要 本发明属于集成电路技术领域,具体为采用有源电感的中频LC并联谐振回路。它主要由可调有源电感及密勒等效电容组成。其中,有源电感为回环接法的两级放大器,密勒等效电容为电容器跨接于放大器输入输出两端形成。有源电感和密勒等效电容值均受控制值控制,而有源电感还可以通过调整其尾电流控制其值。本发明所提出的谐振回路调谐方便迅速,节约芯片面积。
申请公布号 CN101197560A 申请公布日期 2008.06.11
申请号 CN200710173303.3 申请日期 2007.12.27
申请人 复旦大学 发明人 曹圣国;周晓方
分类号 H03H11/02(2006.01);H03H11/12(2006.01) 主分类号 H03H11/02(2006.01)
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 代理人 陆飞;盛志范
主权项 1.一种采用有源电感的中频LC并联谐振回路,其特征在于由有源电感及密勒电容构成,其中有源电感由8个MOS管(1、2、3、4、6、7、8、9)组成;密勒等效电容由电容器(13)接于NMOS管(12)漏栅极之间等效而成;有源电感为回环接法的两级放大器,第一级前馈放大器为4个MOS管(1、2、3、4)组成,反馈放大器由4个PMOS管(6、7、8、9)组成;其中2个NMOS管(1、2)为放大管,2个PMOS管(3、4)为电流镜负载;NMOS管(1)为共源放大管,栅极接节点(14),源极接尾电流源(5),漏极输出到电流镜结构负载PMOS管(3)的漏极和栅极;NMOS管(2)栅极接直流偏置电平,源极接尾电流(5),漏极接节点(15);2个PMOS管(3、4)为电流镜负载,源极均接高电平,漏极分别接2个NMOS管(1、2)漏极,PMOS管(3)栅极和漏极相连,同时PMOS管(4)栅极相连;2个PMOS管(6、8)为放大管,栅极接节点(15),源极接高电平,漏极接共栅控制的2个PMOS管(7、9)源极,2个PMOS管(7、9)为共栅控制管,漏极均接节点(14),栅极分别接控制电压Vcl和Vcn;2个NMOS管(10、12)为电流镜接法,源极接地,NMOS管(10)的漏栅接于节点(14),同时与NMOS管(12)栅极相连。NMOS管(12)漏极接负载PMOS管(11)漏极;PMOS管(11)为负载管,源极接高电平,栅极接偏置电压;电容(13)两端分别接在节点(14)和NMOS管(12)漏极;电容(16)接在节点(15)和地之间。
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