| 发明名称 | 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温度的范围为660℃-760℃，合金时间在20-60S的范围内。该技术的合金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN100394560C | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200410058037.6 | 申请日期 | 2004.08.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 魏珂;和致经;刘新宇;刘健;吴德馨 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);B32B15/01(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种用于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的欧姆接触合金系统，其特征在于，欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的Al/Ti/Al/Ti/Au结构，与AlGaN接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为Ti/Al/Ti/Au，形成五层结构的欧姆接触合金。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||