| 发明名称 | 缩小EEPROM中隧道窗口的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造工艺方法，其公开了一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法，包括步骤：在衬底上长一层氧化层；再在氧化层上生长一层氮化层；通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；用LOCOS法生长一层栅氧化层；湿法刻蚀去掉剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。本发明的缩小EEPROM中隧道窗口的方法能顺利得到较小尺寸的隧道窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN101197266A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119191.9 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 孙亚亚;刘煊杰;王海军 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/283(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上长一层氧化层；(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层；(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；(4)湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；(5)用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层；(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||