| 发明名称 | 半导体装置的制造方法和半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能缓和由半导体衬底与埋入导体层之间的热膨胀差而引起的影响，不需要高精度对准位置就能形成希望的过孔。本发明半导体装置的制造方法在半导体衬底(衬底本体)(21)的第一面(21A)侧设置元件形成层(30)，在与半导体衬底(21)第一面(21A)相对的第二面(21B)侧设置经由过孔而与元件形成层(30)电连接的外部连接端子(48)，该半导体装置的制造方法中，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面(21A)形成相对半导体衬底(21)电绝缘的埋入导体层(27)的工序、在所述第二面(21B)形成与埋入导体层(27)连络的连络孔(40)(40A、40B)的工序、把埋入导体层(27)与连络孔(47)之间进行电连接的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101197298A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710196755.3 | 申请日期 | 2007.12.06 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 驹井尚纪;中村卓矢 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;马高平 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，在半导体衬底的第一面侧设置元件形成层，在与所述半导体衬底所述第一面相对的第二面侧设置经由过孔而与所述元件形成层电连接的外部连接端子，其特征在于，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面形成相对所述半导体衬底电绝缘的埋入导体层的工序、在所述第二面形成与所述埋入导体层连络的连络孔的工序、把所述埋入导体层与所述连络孔之间进行电连接的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||