发明名称 | 一种对多层非易失性存储器设备编程的方法 | ||
摘要 | 一种对多层非易失性存储器编程的方法。多个多位存储单元能够存储不同层的可用于表示数据的电荷,所述由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)表示的数据被首先以LSB然后以MSB编程。当编程过的存储单元具有小于电压VR1的阈值电压时存储第一值,当具有大于电压VR1并小于电压VR2的阈值电压时存储第二值,当具有大于电压VR2并小于电压VR3的阈值电压时存储第三值。当期望存储单元存储第四值时,每一个单元具有大于电压VR3的阈值电压。VR1小于VR2,VR2小于VR3。标识单元被编程为具有大于VR3的阈值电压以指示MSB数据已经被编程。 | ||
申请公布号 | CN101197190A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
申请号 | CN200710306192.9 | 申请日期 | 2007.09.06 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 蔡东赫;边大锡 |
分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 1.一种对多层非易失性存储器编程的方法,该存储器包括至少一个标识单元和多个多位存储单元,多个多位存储单元的每一个能够存储不同层的用于表示数据的电荷,所述数据由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)表示,所述方法包括:对存储单元首先以LSB然后以MSB编程以使得每一个编程过的存储单元:当期望存储单元存储第一值时,具有小于电压VR1的阈值电压;当期望存储单元存储第二值时,具有大于电压VR1并小于电压VR2的阈值电压;当期望存储单元存储第三值时,具有大于电压VR2并小于电压VR3的阈值电压;当期望存储单元存储第四值时,具有大于电压VR3的阈值电压;其中VR1<VR2<VR3;并且标识单元被编程为具有大于电压VR3的阈值电压以指示MSB已经被编程。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |