| 发明名称 | L型边墙的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法以及相应的L型边墙的形成方法，其利用湿法腐蚀代替传统的干法刻蚀来处理一介电层，从而减少蚀刻过程中对基底表面的损伤。具体如下：L型边墙形成自一淀积于基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该减少基底表面损伤的方法即用于复合介电层的蚀刻过程，包括以下步骤：在去除部分牺牲层后，保留剩余牺牲层覆盖的介电层，通过湿法腐蚀去除其余部分的介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101197265A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710172929.2 | 申请日期 | 2007.12.25 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 顾学强 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，该L型边墙形成自一淀积于带有栅极结构基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该方法即用于该复合介电层的蚀刻过程，其特征是，包括：保留栅极侧壁上的牺牲层，去除其余部分的牺牲层，而暴露出部分介电层；通过湿法腐蚀去除暴露于外的介电层，而暴露出部分氧化层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区 | ||