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发明名称 Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise mit mindestens einem Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor
摘要
申请公布号 DE502006000654(D1) 申请公布日期 2008.06.05
申请号 DE200650000654T 申请日期 2006.01.27
申请人 ATMEL GERMANY GMBH 发明人 BRANDL, PETER DIPL.-ING.
分类号 H01L21/331;H01L21/3105;H01L29/737 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
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