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Ein Halbleiter-Feldeffekttransistor kann mit HF-Signalen in einer Verstärkerschaltung verwendet werden. Der Transistor weist einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich mit einem zwischen dem Source- und dem Drain-Bereich positionierten Kanalbereich auf. Der Transistor ist so strukturiert, dass die Schwellenspannung für den Stromfluss durch den Kanalbereich an unterschiedlichen Punkten entlang der Breitenrichtung variiert, z. B., um eine Verbesserung der Verzerrungscharakteristik des Transistors zu erzielen.
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