| 发明名称 | 形成半导体器件的图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种使用湿浸式光刻工序形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在湿浸式光刻工序中以烷溶剂或醇来预处理光阻膜的顶部，以形成均匀的上方涂覆膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101192515A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710122961.X | 申请日期 | 2007.07.04 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑载昌 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01);G03F7/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括：在形成于基板上的底层上方涂覆光阻膜；以溶剂预处理所述光阻膜的表面，所述溶剂包含醇、烷、或两者；在所述光阻膜上形成上方涂覆膜；以及以湿浸式曝光器曝光所得的结构，所述结构包括设置于所述光阻膜上方的上方涂覆膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||