| 发明名称 | 半导体器件的栅极制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件栅极的制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成掩膜层并图案化所述掩膜层以定义栅极的位置；刻蚀所述掩膜层和多晶硅层形成栅极；氧化黏附于所述栅极根部的聚合物；湿法去除氧化后的聚合物；移除所述掩膜层。本发明的方法能够获得外形轮廓良好的栅极，特别适合于线宽特征尺寸在65nm以下的栅极的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN101192524A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118837.1 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;杜珊珊;陈海华;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件栅极的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述衬底表面形成介电层；在所述介电层上形成应力薄膜；图案化所述应力薄膜以形成定义栅极位置的沟槽；在所述应力薄膜上沉积多晶硅层；在与所述沟槽位置对应的多晶硅层表面形成掩膜图形；利用所述掩膜图形刻蚀所述多晶硅层形成栅极；移除所述应力薄膜。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||