| 发明名称 | 半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置，其中薄膜晶体管(10)将多晶硅膜(1a)作为有源层，具有将备有高浓度N型区域(1c)、低浓度N型区域(1d)、第1沟道区域(1e)和高浓度N型区域(1g)的第1薄膜晶体管部(10a)，以及备有高浓度N型区域(1g)、第2沟道区域(1i)、低浓度N型区域(1j)和高浓度N型区域(1k)的第2薄膜晶体管(10b)串联连接的多栅极结构。在漏极侧的第1薄膜晶体管部(10a)的沟道长度在0.5以上而不足1.5μm的范围内。从而即使在由于弯折(kink)效应，而在薄膜晶体管的饱和动作区域具有源极与漏极电流的变化的情况下，仍可获得稳定的输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101192615A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710196627.9 | 申请日期 | 2007.11.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 石黑英人 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有将形成于衬底上的多晶硅膜作为有源层的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管，包括：第1薄膜晶体管部，其在所述多晶硅膜的漏极侧位置具有第1沟道区域；第2薄膜晶体管部，其具有第2沟道区域，所述第2沟道区域在所述多晶硅膜中在源极侧经由杂质导入区域而与所述第1沟道区域邻接；所述第1薄膜晶体管部和所述第2薄膜晶体管部的导电类型相同， 所述第1薄膜晶体管部的栅极电极和第2薄膜晶体管部的栅极电极电连接；所述第1薄膜晶体管部的沟道长度不足2μm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||