| 发明名称 | 蚀刻硅化镍和硅化钴的方法和形成导线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括蚀刻硅化镍和硅化钴的方法和形成导线的方法。在一个实施方案中，在至少50℃的温度和350托(torr)到1100托的压力下，将包含硅化镍的衬底暴露于包含H<SUB>3</SUB>PO<SUB>4</SUB>和H<SUB>2</SUB>O的流体以有效蚀刻所述衬底中的硅化镍。在一个实施方案中，在至少50℃的温度和350托到1100托的压力下，将硅化镍或硅化钴中的至少一种暴露于包含H<SUB>2</SUB>SO<SUB>4</SUB>、H<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>、H<SUB>2</SUB>O和HF的流体以有效蚀刻所述衬底中的所述硅化镍或硅化钴中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN101194347A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200680020082.X | 申请日期 | 2006.05.19 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 普拉贤特·拉古 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻硅化镍的方法，其包含在至少50℃的温度和350托到1100托的压力下，将包含硅化镍的衬底暴露于包含H3PO4和H2O的流体以有效蚀刻所述衬底中的硅化镍。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||