| 发明名称 | 金/硅共晶芯片键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种直接金/硅共晶芯片键合方法，该方法包括芯片键合区镀金，将晶片研磨到所需要的厚度，研磨步骤后的晶片切割，拾取芯片，和在高于金/硅共晶温度的温度下将芯片附贴到芯片键合区的各个步骤。对于较薄的晶片采用研磨前切割工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101192551A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710187345.2 | 申请日期 | 2007.11.20 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 刘凯;孙明 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/58(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 白璧华 |
| 主权项 | 1.一种金/硅共晶芯片键合方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：芯片键合区镀金；将晶片研磨的所需要的厚度；研磨步骤后切割晶片；拾取芯片；和在高于金/硅共晶温度的温度下将芯片附贴到芯片键合区。 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 | ||