| 发明名称 | 半导体器件金属接触粘接层的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件金属接触粘接层的制造方法，包括：在半导体衬底上形成金属互连基底；湿清洗所述金属互连基底；在所述清洗后的金属互连基底上沉积粘接基层；在所述粘接基层上沉积阻挡层；进行第一退火过程，以形成第一金属硅化物粘接层；去除所述粘接基层和阻挡层；进行第二退火过程，以形成第二金属硅化物粘接层。通过去除沉积粘接基层前的干式清洗步骤，可避免等离子体工艺造成的器件表面损伤，继而抑制沉积互连金属层之前在金属硅化物粘接层与互连基底间形成的接合尖峰效应，降低了器件的漏电流，增强了器件性能的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101192562A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118836.7 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨瑞鹏;胡宇慧 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件金属接触粘接层的制造方法，包括：在半导体衬底上形成金属互连基底；湿清洗所述金属互连基底；在所述清洗后的金属互连基底上沉积粘接基层；在所述粘接基层上沉积阻挡层；进行第一退火过程，以形成第一金属硅化物粘接层；去除所述粘接基层和阻挡层；进行第二退火过程，以形成第二金属硅化物粘接层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||