半导体封装件及其制法

摘要

一种半导体封装件及其制法，主要是在金属载具及绝缘层间敷设牺牲层，并在该牺牲层及绝缘层的预定部位开设多数贯穿的开口，以供后续在该开口中形成导电金属层及在该绝缘层上形成图案化线路层，并使该图案化线路层电性连接至该导电金属层，接着将至少一个芯片接置并电性连接至该图案化线路层，及形成包覆该芯片及图案化线路层的封装胶体，即移除该金属载具及牺牲层，以供先前形成于贯穿该牺牲层及绝缘层开口的导电金属层得以相对凸出于该绝缘层，这样在将所完成的半导体封装件电性连接至外部装置时，可增加该半导体封装件及外部装置间的距离，减低因半导体封装件及外部装置间的热膨胀系数差所产生的热应力，进而提高可信度。

主权项

1.一种半导体封装件的制法，其包括：在载具的一个表面上敷设牺牲层，及在该牺牲层上敷设绝缘层，并于该牺牲层及绝缘层的预定部位开设多数贯穿的开口，以外露出该载具；在该开口中形成导电金属层；在该绝缘层上形成图案化线路层，且使该图案化线路层电性连接至该导电金属层；在该绝缘层的预定位置上接置至少一个芯片，并使该芯片电性连接至该图案化线路层；形成封装胶体以包覆该芯片及图案化线路层；以及移除该载具及牺牲层，由此外露出该绝缘层及导电金属层，并使该导电金属层凸出于该绝缘层。