CORAL膜片上蚀刻及剥离后残留物的脱除方法

摘要

提供了一种用于半导体晶片的清洗方法，包括将一种特征等离子蚀刻入至具有光致抗蚀剂掩模的低K介电层中，此处等离子蚀刻产生蚀刻残留物(图4，204)。这种方法也包括磨光该半导体晶片，脱除在磨光形成磨光残留物处的光致抗蚀掩膜(图4，206)。此方法还包括脱除在低K介电层上的蚀刻残留物和磨光残留物，在此用一种施加有包括清洗化学品和润湿剂的流体混合物的湿刷子，擦洗该半导体晶片的低K介电层，增强了这种脱除(图4，208)。

主权项

1.一种用于清洗半导体晶片的方法，包括：将一种特征等离子蚀刻至具有光致抗蚀掩模的低K介电层中，此等离子蚀刻产生蚀刻残留物；对此半导体晶片进行磨光，脱除光致抗蚀掩模，此磨光产生磨光残留物；和从具有等离子蚀刻特征的低K介电层上脱除蚀刻残留物和磨光残留物，并用加有包括清洗化学品和润湿剂的流体混合物的湿刷子，擦洗该半导体晶片的低K介电层，以增强这种脱除。