U槽LED集成芯片及制造方法

摘要

本发明公开了一种制造成本低、发光效率高、散热效果好的U槽LED集成芯片及制造方法。该集成芯片包括若干个LED裸芯片和硅衬底，LED裸芯片包括N型外延层、P型外延层，硅衬底顶面于所述LED裸芯片处有两个金属层，两个外延层通过焊球或金属线焊接在金属层上，金属层与硅衬底的结合区还有两个隔离层I，硅衬底上表面有若干个U型凹槽，LED裸芯片位于凹槽内，LED裸芯片之间通过金属层相连接并引出阳、阴极接点，凹槽内有填充树脂，金属层覆盖于凹槽的底面和侧面且外表面为反光面，金属层与硅衬底之间有隔离层II。该制造方法包括形成掩蔽层、凹槽、氧化层、隔离层、金属层、保护层及焊装LED的步骤。本发明可广泛应用于LED领域。

主权项

1.一种U槽LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，所述硅衬底(2)顶面于每个所述LED裸芯片处有两个分离的沉积金属层(32、33)，所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(40、41)倒装或通过金属线(45、46)正装焊接在所述金属层(32、33)上，所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)的结合区分别还有一个掺杂的隔离层I(22、23)，其特征在于：所述硅衬底(2)上表面有若干个U型凹槽，若干个所述LED裸芯片对应位于若干个所述U型凹槽内，若干个所述LED裸芯片之间通过所述金属层(32、33)相连接并引出阳极接点(80)和阴极接点(81)，所述U型凹槽内有透明绝缘的填充树脂(7)，所述金属层(32、33)覆盖于各所述U型凹槽的底面和侧面，所述金属层(32、33)的外表面为反光面，各所述LED裸芯片对应的所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)之间设有隔离层II。