| 发明名称 | 改善蚀刻率均匀性的技术 | ||
| 摘要 | 公开用于等离子体处理系统中离子辅助蚀刻处理的改进方法和装置。根据本发明的不同方面，公开了抬升边环，槽形边环和RF耦合边环。本发明有利于改善整个衬底(晶片)的蚀刻率均匀性。由本发明提供的蚀刻率均匀性的改善不仅提高了制造产额，而且成本效率高，并且不要冒粒子和/或重金属沾污的风险。 | ||
| 申请公布号 | CN100392791C | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN00809793.3 | 申请日期 | 2000.06.29 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | J·E·道赫尔蒂;N·本亚明;J·波加特;V·瓦赫蒂;D·科珀博格;A·米勒;Y·亚马古赤 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01J37/32(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于蚀刻衬底的等离子体处理室，所说等离子体处理室包括：衬底，具有顶表面、底表面和边；射频RF驱动夹盘，所说的RF驱动夹盘支撑至少一部分衬底的底表面；和内RF耦合边环，它置于所说的RF驱动夹盘的一部分上面并且邻近衬底的一边，其中所说的RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量被耦合到所说的内RF耦合边环；在所说的内RF耦合边环和所说的RF驱动夹盘的部分之间提供的RF耦合器，其中由所说的RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量通过所说的RF耦合器被耦合到所说的内RF耦合边环。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||