| 发明名称 | 垂直型双极晶体管的制作工艺方法及垂直型双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直型双极晶体管的制作工艺方法及垂直型双极晶体管。该方法包括以下步骤，在进行离子注入得到本征基区和位于其下面的集电区后，再淀积一层介质隔离层，单步干法刻蚀该介质隔离层形成侧墙，采用湿法刻蚀去除所述的氧化膜，暴露出本征基区，淀积发射极多晶硅，利用光刻刻蚀，得到发射极，然后再次利用光刻刻蚀形成外基极。本发明在保证发射极的尺寸精度的同时，对光刻板的精度要求低，工艺简单、有利于降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101192537A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118718.6 | 申请日期 | 2006.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李永海 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01);H01L29/732(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种垂直型双极晶体管的制作工艺方法，包括以下步骤，在硅基体上淀积一层多晶硅，在其上面再沉积氧化膜，利用光刻和刻蚀形成离子注入区，然后沉积一层氧化膜，接着进行离子注入得到本征基区和位于其下面的集电区，其特征在于：再淀积一层介质隔离层，单步干法刻蚀该介质隔离层形成侧墙，采用湿法刻蚀去除所述的氧化膜，暴露出本征基区，淀积发射极多晶硅，利用光刻刻蚀，得到发射极，然后再次利用光刻刻蚀形成外基极。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||