| 发明名称 | Ⅲ－Ⅴ半导体核－异质壳纳米晶体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及III－V半导体核－异质壳纳米晶体。本发明提供了一种包含核和多层壳的核/多壳半导体纳米晶体，其显示出I型带阶和较高的光致发光量子产率，提供了涵盖从约400nm的可见范围至超过1600nm的近红外范围的明亮可调的发射。 | ||
| 申请公布号 | CN101194372A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200680020268.5 | 申请日期 | 2006.06.15 |
| 申请人 | 耶路撒冷希伯来大学伊萨姆研发公司 | 发明人 | 乌里·巴宁;阿萨夫·阿哈龙尼 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);C30B29/60(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1.一种核/多壳半导体纳米晶体，所述核/多壳半导体纳米晶体包含由III/V化合物制成的核材和至少两种壳材，其中，第一壳材包覆所述核材，第二壳材包覆所述第一壳材，并且每种在后壳材依次包覆在前的壳，每种壳材均独立地选自II/VI、III/V或III/VI化合物，其中，所述核材不同于所述第一壳材，且任何壳材均不同于相邻壳的壳材，而且其中所述纳米晶体显示出I型带阶和波长为约400nm～约1600nm的发光。 | ||
| 地址 | 以色列耶路撒冷 | ||