发明名称 中心对称连续微结构衍射元件掩模的制作方法
摘要 本发明公开了一种中心对称连续微结构衍射元件掩模的制作方法,它包括基片清洗;光刻胶版制作;能量程序文件形成;激光曝光;显影;坚模等步骤;本发明采用激光直写技术对光刻胶版表面光刻胶进行定位定量曝光,显影后在光刻胶层形成连续微结构,经过加热处理后形成掩模。其特点是:制作精度高,制作周期短,制作过程简单,制作成本低等。特别适合于轻质、高性能中心对称连续微结构衍射元件掩模的制作。
申请公布号 CN101192000A 申请公布日期 2008.06.04
申请号 CN200710170464.7 申请日期 2007.11.15
申请人 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 发明人 王多书;刘宏开;叶自煜;罗崇泰;熊玉卿;陈焘;马勉军
分类号 G03F7/00(2006.01);G03F1/00(2006.01);G02B3/00(2006.01);G02B5/00(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 上海蓝迪专利事务所 代理人 徐筱梅
主权项 1.一种中心对称连续微结构衍射元件掩模的制作方法,其特征在于它包括以下具体步骤:a、基片清洗选石英玻璃为基片,在重铬酸钾与浓硫酸的混合溶液中浸泡3~5小时;去离子水冲洗;甩干,置于烘干机中烘烤,室温冷却;b、光刻胶版制作采用旋涂法给基片涂光刻胶,形成光刻胶版,胶厚0.5~2um;c、能量程序文件形成按掩模的设计数据,用激光能量与刻写半径和刻写深度的关系计算激光能量并编写程序,形成能量程序文件;d、激光曝光将上述光刻胶版吸附于激光直写设备上,调节设备旋转台的旋转中心与光刻胶版的中心保持一致,开启激光直写设备,在能量程序文件控制下对光刻胶版自动曝光;e、显影将完成曝光的光刻胶版放入显影液中显影;f、坚模将显影后的光刻胶版置于真空干燥箱烘烤,室温冷却,掩模制作结束。
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