| 发明名称 | 包含硅和碳的外延层的形成和处理 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于形成并处理包含硅和碳的外延层的方法。根据一个或多个实施方式，处理将外延层中的间隙碳转换为替代碳。特定的实施方式涉及在半导体器件中，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件中外延层的形成和处理。在特定实施方式中，外延层的处理包含退火短时间周期，例如，通过激光退火、毫秒退火、快速热退火、瞬间退火及其组合。实施方式包括包含硅和碳的至少部分外延层的无定形化。 | ||
| 申请公布号 | CN101192516A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710195484.X | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 邱永男;金以宽 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/18(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种处理在衬底上的Si:C外延层的方法，包含：提供具有外延层的衬底，该外延层包含沉积在所述衬底上的碳和硅，所述碳包含高于约0.5原子％的间隙碳和替代碳；以及离子注入所述外延层；以及在从约800℃到约1350℃的温度下退火所述衬底和外延层，以将所述外延层中的至少部分间隙碳转化为替代碳，从而增加所述替代碳含量至高于约0.5原子％。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||