结构释放结构及其制造方法

摘要

一种结构释放结构及其制造方法，适用于光干涉式显示单元结构之上。该光干涉式显示单元结构包括第一电极、第二电极及支撑物，其中，第二电极具有至少一孔洞，并与该第一电极约成平行排列，且支撑物位于第一电极与第二电极之间并且形成一腔室。在光干涉式显示单元制造过程中，当通过结构释放蚀刻制造过程来移除第一电极和第二电极之间的牺牲层用以形成腔室时，孔洞可使蚀刻剂经由孔洞蚀刻牺牲层用以缩短结构释放蚀刻制造过程所需的时间。

主权项

1.一种结构释放结构，适用于光干涉式显示单元结构之上，该结构至少包括：第一电极；第二电极，具有至少一孔洞，并与该第一电极成平行排列；以及支撑物，位于该第一电极与该第二电极之间形成一腔室；其中，当通过结构释放蚀刻制造工艺来移除位于该第一电极与该第二电极间的牺牲层用以形成该腔室时，蚀刻剂可经由该孔洞蚀刻该牺牲层用以缩短该结构释放蚀刻制造工艺所需的时间，其中该第二电极中孔洞的数量与该装置的尺寸及孔洞的尺寸有关，且其中该孔洞的尺寸介于1微米到10微米之间。